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Vishay的碳化硅肖特基载流子二极管几乎没有恢复尾,也没有开关损耗。
罗姆的第四代碳化硅mosfet旨在为苛刻的应用提供无与伦比的效率和性能。
EliteSiC 25毫欧, 650V mosfet,提供卓越的开关性能。
onsemi的NTBG070N120M3S 1200V M3S SiC mosfet是为速度而设计的,由于采用平面技术,可以摆脱负栅极电压和栅极尖峰。
安派瑞的碳化硅mosfet具有非常快速和坚固的本禀体二极管,具有低正向电压。
在优化系统效率的同时,降低了开关损耗和门环。
具有卓越特性的高性能设备。
河北半导体研究所报道了一种大面积800μm直径的4H-多型碳化硅(SiC)紫外(UV)雪崩光电二极管(APD),其具有高增益(106),高量子效率(81.5%)和低暗电流强度,紫外/可见光抑制比高达103。
Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业,日前宣布作为公司强力进军工业和汽车用功率半导体元件市场战略的一项举措,Littelfuse对碳化硅技术研发领域的初创公司Monolith Semiconductor公司进行了投资。 碳化硅是一种发展迅速的新兴半导体材料,与传统硅相比,能使功...
东芝的SiC技术是为高效率电源应用而设计的
SiC技术用于高效率、高速的设计。
1200V M3S平面EliteSiC MOSFET设计用于快速开关应用。
全球范围内正在经历一场能源革命。根据国际能源署的报告,到 2026 年,可再生能源将占全球能源增长量的大约 95%。太阳能将占到这 95% 中的一半以上。
碳化硅(SiC) MOSFET采用了一种全新的技术,与硅相比提供了优越的开关性能和高可靠性。
是1200V M3S平面SiC mosfet系列。
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