具有卓越特性的高性能设备。

河北半导体研究所报道了一种大面积800μm直径的4H－多型碳化硅（SiC）紫外（UV）雪崩光电二极管（APD），其具有高增益（106），高量子效率（81．5％）和低暗电流强度，紫外／可见光抑制比高达103。

东芝的SiC技术是为高效率电源应用而设计的

碳化硅(SiC) MOSFET采用了一种全新的技术，与硅相比提供了优越的开关性能和高可靠性。

1200V M3S平面EliteSiC MOSFET设计用于快速开关应用。

是1200V M3S平面SiC mosfet系列。

​全球范围内正在经历一场能源革命。根据国际能源署的报告，到 2026 年，可再生能源将占全球能源增长量的大约 95%。太阳能将占到这 95% 中的一半以上。

SiC技术用于高效率、高速的设计。

第三代半导体材料主要以碳化硅(SiC) 、氮化镓( GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带半导体材料。

EliteSiC 25毫欧， 650V mosfet，提供卓越的开关性能。

NTH4L060N065SC1碳化硅(SiC) MOSFET提供优越的开关性能和更高的可靠性。

Vishay的Gen 3 650 V碳化硅肖特基二极管采用合并PIN肖特基(MPS)设计。